RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
91
En 73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
4.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
91
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
6.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
4.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1214
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link