RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
73
En 66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
73
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1724
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link