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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
41
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
3126
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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