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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2901
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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