RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
54
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
54
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
2259
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link