RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Compara
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,001.3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
58
En -152% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,796.5
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,001.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
768
3498
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link