RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Compara
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3687
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link