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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
44
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2302
2713
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
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