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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Puntuación global
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
44
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2302
2806
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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