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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
19.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
17.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
45
En -105% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
22
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
3879
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
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