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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
2690
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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