RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Compara
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3332
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link