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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Compara
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
3021
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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