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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
27
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
3587
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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