RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En -11% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
1989
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link