RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
34
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
21
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
3255
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link