RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
34
En -6% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
2900
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link