RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
40
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
2495
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link