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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
39
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
2264
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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