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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Compara
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
15.7
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3867
2481
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-017.A00G 4GB
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