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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Compara
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
42
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
15.7
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3867
2427
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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