RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3509
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link