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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2373
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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