RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
49
En -63% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3473
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link