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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
49
En -7% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
46
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2936
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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