RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
3519
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link