Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Puntuación global
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Puntuación global
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 15.1
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    39 left arrow 62
    En -59% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.6 left arrow 1,843.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 6400
    En 4 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    62 left arrow 39
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,556.6 left arrow 15.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,843.6 left arrow 12.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    542 left arrow 3000
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones