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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
27
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
17
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3702
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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