RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
37
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
2658
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link