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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
54
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.1
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
54
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
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Kingston 9965596-019.B01G 4GB
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Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
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