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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
34
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2677
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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