RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
35
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
35
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link