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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
34
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2492
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
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