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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
25
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
1944
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
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