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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
34
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2830
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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