RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link