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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Especificaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
34
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3004
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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