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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
41
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2186
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
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