RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3524
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link