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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
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