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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
29
En -21% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1845
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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