RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
19.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
4243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kllisre 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link