RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3005
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 994050 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link