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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2774
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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