RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link