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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.4
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
3.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
62
En -38% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
62
45
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
5.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
3.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
1226
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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