RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Puntuación global
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
28
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
21
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1668
3120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link