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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1678
3425
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ20UF8BCF0-DJ-F 2GB
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