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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
36
Velocidad de lectura, GB/s
8.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
3414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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