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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2245
2340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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